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    发布时间: 2011-09-28
    压力传感器的零点电漂移特性指标
    压力传感器的零点电漂移特性指标
    用半导体硅集成电路工艺制备压力传感器已有30多年历史了,随着市场需求其每年以20%的速度增长,竞争十分剧烈,但仍存在以下问题迫切需要解决,并应引起注意:
    (1)电阻非线性问题突出。力敏电阻依靠p-n结与衬底隔离,在P区侧的耗尽层宽度与外加电压有关,故电阻条的有效导电厚度随外加电压而变化,表现为非线性,并直接导致零点的电漂移。
    (2)零点电漂移。压力传感器的特性指标除众所周知的几个之外,我们在上百次对国内外不同品种的压力传感器进行测定时,均发现了零点电漂移现象,在国际上我们是领先观察到并给予定义的。零点电漂移影响压力传感器的测量精度,使灵敏度大大降低。
    (3)热零点漂移与漏电问题。热零点漂移是影响压力传感器性能的重要指标,受到广泛重视。国际上认为热零点漂移仅取决于力敏电阻的不等性及其温度非线性,但我们认为热零点漂移还与力敏电阻的反向漏电有关,对该理论作出了重要补充,还指出多晶硅可以吸除衬底中的重金属杂质,从而减小力敏电阻的反向漏电、改善热零点漂移,提高传感器。
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